Sự khác biệt giữa lớp phủ phun và lớp phủ chân không trong công ty thủy tinh
Aug 10, 2024
Để lại lời nhắn
Khác với phương pháp bốc hơi chân không, phương pháp phun phủ là phương pháp sử dụng các ion năng lượng cao để va chạm với vật liệu mục tiêu, làm các nguyên tử, phân tử, ion hình thành bay ra ngoài, tạo thành lớp màng trên bề mặt vật liệu.
Phương pháp gia công này là phương pháp được sử dụng phổ biến nhất trong nhà máy sản xuất chai thủy tinh của chúng tôi trong quá trình phổ biến và công nghiệp hóa sản xuất. Hiện tượng phun được phát hiện bởi Grove A1 trên catốt trên bề mặt ống phóng điện.
Các ion năng lượng cao (hoặc ion trung hòa) và vật liệu mục tiêu tạo ra va chạm đàn hồi, bề mặt mục tiêu của các ion hấp thụ động lượng này, sau đó va chạm tiếp với các ion xung quanh, kết quả là cắt đứt bề mặt mục tiêu các nguyên tử liên kết với liên kết giữa bề mặt nguyên tử bị bay ra ngoài, dẫn đến hiện tượng bắn phá.
Mọi loại hiệu ứng do phun gây ra đều có hiệu quả đối với phát xạ electron hai lần, phun catốt thủy tinh (mục tiêu), phân hủy phân tích khí, làm nóng catốt, lan truyền sân trong bố trí, thay đổi mạng và cấy ion. So với số lượng các hạt dương tới, R trở thành hệ số phát xạ hai electron của bình thủy tinh và giá trị của nó bị ảnh hưởng bởi các tính chất của vật liệu mục tiêu, khối lượng ion dương, thế ion hóa và kích thước động lượng của hai electron.
Khi năng lượng hạt dương đạt tới hàng chục đến hàng trăm electron vôn thì giá trị R nằm trong khoảng vài phần trăm đến một phần mười.
Khi một ion dương va chạm với một mục tiêu, nó nóng lên và 75% năng lượng của nó được chuyển thành nhiệt, do đó vật liệu mục tiêu cần được làm mát để mục tiêu có thể bị phân hủy hoặc thậm chí hòa tan. Nhìn chung, năng lượng của hơi chân không từ nguồn bốc hơi bay ra khỏi nguyên tử trong nhà máy thủy tinh là 0.1ev, trong vật liệu mục tiêu bắn ra năng lượng nguyên tử lớn hơn năng lượng nguyên tử từ nguồn bốc hơi chân không bay ra khỏi nguyên tử đến một cấp độ lớn 1 ~ 2, khoảng 5 ~ 10ev, mỗi đơn vị thời gian có giá trị tốc độ phun r, r và mật độ ion dương tới và giá trị hệ số phun tỷ lệ thuận với tích số.

